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昭信半导体力争推动深紫外LED技术发展

发布日期:2016-03-23

        在半导体照明市场深紫外LED等利润丰厚领域正吸引着众多业者目光。昭信半导体继赢得国产MOCVD技术领先后,通过围绕新材料•薄膜科技的主题提供定制技术服务与新应用拓展,参展SEMICON China 2016。
        超越量产型MOCVD设备单一销售战略,昭信半导体以技术工程、提供全面解决方案、专业定制服务为核心,致力于MOCVD设备的自主研制,取得了多项核心技术专利。利用在加热系统及真空反应系统技术上,多年积累的研制经验,在常规GaN MOCVD设备技术基础上,成功开发出高温MOCVD设备技术。
        三年前为中电集团旗下研究所改造了MOCVD设备,目前该设备可长期在1300°C高温下稳定运行。一年前,应在光电材料研究领域处于国内领先地位的某高校需求,提供了一台用于氧化物外延生长的MOCVD设备。该设备利用独特的结构设计,有效防止了电炉等零件的高温氧化。可长期稳定工作在1000°C高温,为客户从事氧化物外延提供了更多的研究选择。也形成了昭信半导体独特的氧化物CVD设备技术。
        目前,昭信半导体正在推进量产型MOCVD设备高温技术,目标是将量产型MOCVD设备稳定工作温度提高超过1400°C。同时,在自主MOCVD设备上展开的AlN工艺研究也进展顺利,(002)面XRD小于300arcs,(102)面XRD小于500arcs,所生长的薄膜晶体质量良好。当前深紫外LED是高利市场,但在此领域国内尚未获得有效突破,一个主要原因就是现有MOCVD设备不能满足紫外产品的工艺运行,无法实现AlN、高掺Al的高质量外延。相信在不久的将来,昭信半导体的高温MOCVD设备技术,还将有更多新成果展示,将能推动深紫外LED技术的新发展。